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E5116AHSB 512M比特DDR SDRAM
发布日期:2013-1-3 11:21:54 作者: 出处: 浏览:
351
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一、简介
E5116AHSB是一个容量为512M比特的DDR SDRAM,内部组织是8M字×16比特×4堆栈结构,84脚球型FBGA无铅封装,1.8V±0.1V供电。
二、特点
l 数据速率:800Mbps/667Mbps/533Mbps/400Mbps
l 2KB页容量
l 同时工作的内部4个存储堆栈
l SSTL_18界面
l 烧录长度:4,8
l 烧录类型:连续、交错
l 每一烧录存取自动预充电压选择
l 驱动器强度:普通/弱
l 自动刷新和自我刷新
l 刷新周期:8192周/64ms
三、框图
四、引脚位结构图
五、引脚功能
名称
功能
类型
A0 to A13
地址输入
I
BA0, BA1
堆栈选择
I
DQ0 to DQ15
数据输入输出
I/O
DQS, /DQS
UDQS, /UDQS
LDQS, /LDQS
差分数据选通
I
RDQS, /RDQS
读差分数据选通
I
/CS
芯片选择
I
/RAS, /CAS, /WE
命令输入
I
CKE
时钟使能
I
CK, /CK
差分时钟输入
I
DM,UDM, LDM
写数据掩膜
ODT
ODT控制
VDD
内部电路供电
VSS
内部电路地
VDDQ
DQ电路供电
VSSQ
DQ电路地
VREF
输入基准电压
VDDL
DLL电路供电
VSSDL
DLL电路地
NC*1
不连接
NU*2
不用
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