AT93C46/AT93C56/AT93C66--低功耗、低电压电可擦除的可编程只读存储器-家电-数据之家

AT93C46／AT93C56／AT93C66是ATMEL公司推出的低功耗、低电压电可擦除的可编程只读存储器，采用8脚PDIP／SOIC封装和14脚SOI封装，在多功能的精密测试仪中具有广阔的前途。
概述：AT93C46/56/57/66供应1024/2048/4096字节的，这是一个可连续消除字节的只读存储器。有组织的64/128/256位与16个字节的通道，它将内部组织管脚是连接到电源与128/256/512字与8bit位的通道，它是一个接地点。它是一个最佳设计尺寸，低消耗与低电压工作，这个AT93C46/54/57/66是一个8脚DIP与8脚JEDEC封装在TCL **机型上测定

序号	符号	功能	直流电压（V）	序号	符号	功能	直流电压（V）
1	CS	下一个选择		5	GND	接地
2	SK	数据时钟连续		6	VCC	供电
3	DI	连续数据输入		7	ORG	内部组织
4	DO	连续数据输出		8	DC	控制脚

CS：片选信号。高电平有效，低电平时进入等待模式。在连续的指令之间，CS信号必须持续至少250ns的低电平，才能保证芯片正常工作。
CLK：串行时钟信号。在CLK的上升沿，操作码、地址和数据位进入器件或从器件输出。在发送序列时，CLK最好不停止，以防止读／写数据的错误。
DI：串行数据输入。可在CLK的同步下输入开始位、操作码、地址位和数据位。
DO：串行数据输出。在CLK同步下读周期时，用于输出数据；而在地址擦／写周期或芯片擦／写周期时，该端用于提供忙／闲信息。
VSS：接地。
VCC：接+5V电源。
ORG：存储器构造配置端。该端接VCC或悬空时，输出为16位；接GND时，输出为8位。
NC：空脚，不连接。
主要特点：
采用CMOS技术和Fairchild Semiconductor公司的MicroWire工业标准8线串行接口。
具有1KB／2KB／4KB的容量，并可通过ORG引脚配置成128×8／266×8／518×8或64×16／128×16／256×16等结构。
可靠性高，能够重复写100万次，数据可以保存100年不丢失。
与并行的EEPROM相比，AT93C46／56／66可大大节省印制板空间，且接线简单。
    工作原理
    (1)擦／写允许指令(EWEN)
    由于在上电复位后，AT93C46／56／66首先将于擦／写不允许状态。故该指令必须在所有编程模式前执行，一旦该指令执行后，只要外部没有断电就可以对芯片进行编程。
    (2)地址擦指令(ERASE)
    该指令用于强迫指定地址中所有数据位都为“1”。一旦信息在DI端上被译码，就需使CS信号保持至少250ns的低电平，然后将CS置为高电平，这时DO端就会指示“忙”标志。DO为“0”，表示编程正在进行；DO为“1”，表示该指定地址的寄存器单元已擦完，可以执行下一条指令。
    (3)地址写指令(WRITE)
    写指令时，先写地址，然后将16位的(或8位)数据写入到指定地址中。当DI端输出最后一个数据位后，在CLK时钟的下一个上升沿以前，CS必须为低，且需保持至少250ns，然后将CS置为高电平。需要说明的是，写周期时，每写一个字节需耗时4ms。
    (4)地址读指令(READ)
    读指令用于从指定的单元中把数据从高位到低位输出至DO端，但逻辑“0’’位先于数据位输出。读指令在CLK的上升沿触发，且需经过一段时间方可稳定。为防止出错，建议在读指令结束后，再输出2～3个CLK脉冲。
    (5)芯片擦指令(ERAL)
    该指令可将整个存储器阵列置为1，其他功能与地址擦指令相同。
    (6)芯片写指令(WRAL)
    该指令可将命令中指定的数据写入整个存储器阵列，其他功能与地址写指令相同，该指令周期所花费时间的最大值为30ms。
(7)擦／写禁止指令(EWDS)
使用该指令可对写入的数据进行保护，操作步骤与擦／写允许指令相同。

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