K4D551638H 256M bit SDRAM

 

一、概述

  K4D55163H是一个268,435,456位的水平同步动态随机存储器数据，4X4,194,304字节的16位架构。它是一由三星公司生产的高性能CMOS工艺，同步特性具有数据开起允许外部高效率达到1.1GB/S/chip。I/O口处理可能产生的边缘时钟信号，运行频率范围控制。可编程的烧录长度和可编程的潜伏数据允许器件用于高性能存储系统的种类。

 

二、特点

1、2.35V ~ 2.7V电源电压提供驱动

2、2.35V ~ 2.7V电源电压提供给I/O口界面

3、SSTL_2兼容输入/输出

4、4层操作

5、MRS循环地址数据程序

6、读数据延迟时钟2.5,3

7、脉冲长度2，4与8

8、脉冲类型（连续/插入）

9、微分时钟输入

 

三、引脚

四、IC内部框图