引脚中文：

    ①脚：驱动输出脉冲负极连接端，使用时接被驱动IGBT的发射极。
    ②脚：被驱动的IGBT脉冲功率放大输出级正电源连接端，应用中接驱动输出级电源，要求提供的电压为25～28V。
    ③脚：驱动输出脉冲正极连接端，使用时可通过电阻Rc直接驱动IGBT的栅极。电阻Rc的取值随被驱动的IGBT容量的不同而不同，当被驱动的IGBT为50A／1200V时，RG的典型值为0～20Ω／1w。
    ④脚：被驱动的IGBT脉冲功率放大输出级正电源参考地端。
    ⑤脚：软关断斜率电容器c5的接线端及驱动信号的封锁信号引入端，使用时可通过光耦合器的二次侧并联在C5两端(集电极接⑤脚，发射极接⑩脚，发光二极管接用户集中封锁信号输入)来直接封锁被驱动IGBT的脉冲输出。
    ⑥脚：软关断报警信号输出端，最大负载能力为20mA。它既可作为被驱动的输入信号的封锁端，通过光耦合器(⑥脚接光耦合器阴极)来封锁控制脉冲形成部分的脉冲输出；亦可通过光耦合器来驱动继电器，从而隔断被驱动IGBT所在的主电路。
    ⑦脚：空脚，使用时悬空。
    ⑧脚：降栅压报警信号输出端，最大输出电流为5mA。该端既可通过光耦合器(⑧脚接光耦合器阴极)来封锁控制脉冲形成部分的脉冲输出，亦可通过光耦合器来驱动继电器以隔断被驱动的IGBT所在的主回路。
    9、13脚：降栅压信号输入端，使用时应通过快恢复二极管接至被驱动IGBT的集电极，当需要降低动作门限电压值时，可再反串一个稳压二极管(稳压管的阴极接⑨脚)。快恢复二极管必须是高压、超高速快恢复型，其恢复时间应不超过50ns，经反串稳压二极管后，原来的动作门限电压(8.5V)减去稳压管的稳压值才是新的门限电压。降栅压功能可通过将⑧脚与⑩脚相短接而删除。
    10、11脚：降栅压延迟时间电容器C6的连接端。这两端所接电容器的电容量决定降栅压延迟时间的长短，该电容的推荐值为0～200pF，当该电容的容量较大时，短路电流峰值也较大，所以该电容一般也可以不接。
    10、12脚：降栅压时间定时电容器C7的连接端。由于该电容较大时，经过较长的降栅压时间后，被驱动的IGBT才关断，这意味着造成被驱动的IGBT损坏的危险性将增加。所以C7的值不能取得太大，但也不能取得太小，过小的c7将造成被驱动的IGBT快速降栅压后关断，从而可能导致回路中的电感因被驱动的IGBT快速关断而引起过高的尖峰过电压，而这种过高的尖峰过电压则可能击穿被驱动的IGBT。C7的推荐值为510～1500pF。
    14、15脚：未引出。
    16脚：内置静电屏蔽层的高速光耦合器阴极连接端，应用时直接接用户脉冲形成部分的输出(当17脚通过电阻接正电源时)，亦可直接与控制脉冲形成部分的地相连接(当17脚接脉冲形成部分的脉冲输出时)。
    17脚：内置静电屏蔽层的高速光耦合器阳极连接端，应用时通过一电阻接正电源，亦可通过一电阻接用户脉冲形成单元输出端，要求提供的电流幅值为12mA，无论是接用户脉冲形成部分的输出还是接正电源，串人的电阻值均可按下式计算：
    R=VIN-2V／12mA(kΩ)
    3．主要参数
    (1)极限参数
    供电电压Vc：30V(Vcc为15～18V，VEE为-10～-12V)；
    光耦输入峰值电流I：20mA。
    正(负)向输出电流IG：2A(脉宽<2μs、频率为40kHz、占空比<0.05时)。
    输入输出隔离电压Viso：2500V(工频1min)。
    (2)工作参数
    电源电压Vc推荐值：25V(Vcc=+15V，VEE=10V)。
    光耦合器输入峰值电流If：10～12mA。
    输出正向驱动电压+VG：≥Vcc-1V。
输出负向驱动电压-Vc：≥VEE-1V。
输出正向电压响应时问tON≤1μs(输入信号上升沿<0.1μs，If=o→10mA)。
输出负向电压响应时间tOFF≤1μs(输入信号下降沿<0．1μs，If=10→0mA)。
软关断报警信号延迟时间t ALM1:<1μs(不包括光耦合器LV3的延迟)，输出电流<20mA。
降栅压报警信号延迟时间tALM2：<lμs(不包括光耦合器LV2的延迟)，输出电流<5mA。
降栅压动作门限电压VcE：8V±0．5V。
软关断动作门槛电压VcE：8.5V±0.8V。
降栅压幅值：8～10V。

   结构原理：
VLl为带静电屏蔽的光耦合器，用来实现与输入信号的隔离。由于它具有静电屏蔽功能，因而HL402的抗共模干扰能力显著提高。图中的V2为脉冲放大器，晶体管V3、V4可用于实现驱动脉冲功率放大，V5为降栅压比较器。正常情况下由于9脚输入的IGBT集电极电压VcE不高于V5的基准电压VRE，V5不翻转，晶体管V6不导通，故从16、17脚输入的驱动脉冲信号经V2整形后不被封锁。该驱动脉冲经V3、V4放大后提供给被驱动的IGBT以使之导通或关断。一旦被驱动的IGBT退出饱和，则9脚输入的集电极电压取样信号VCE将高于V5的基准电压VREF，从而使比较器V5翻转后输出高电平，晶体管V6导通，并由稳压管VD2将驱动器输出的栅极电压VGE降低到10V。此时，软关断定时器V8在降栅压比较器V5翻转达到设定的时间后，输出正电压使晶体管v7导通，并将栅极电压关断以使其降到IGBT的栅极一发射极门限电压以下，从而给被驱动的IGBT提供一个负的驱动电压，这就保证了被驱动的IGBT能够可靠关断。

主要特点
内含带静电屏蔽层的高速光耦合器，可以实观信号隔离。
抗干扰能力强，响应速度快，隔离电压高。
具有先降栅压、后软关断的双重保护功能；可在软关断及降栅压的同时输出报警信号，以实现对封锁脉冲或分断主回路的保护。
降栅压延迟时间、降栅压时间、软关断斜率均可通过外接电容器进行整定。
能适应不同饱和压降IGBT的驱动和保护。
具有很高的输出驱动电压幅值。
其正向驱动电压可达15～17V，负向驱动电压可达10～12V，可用来直接驱动容量为150A／1200V以下的功率IGBT。