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D13N03LT--双沟道金属氧化物逻辑电平场效应管
发布日期:2013-1-5 11:07:40 作者: 出处: 浏览:
268
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一、简介
D13N03LT是一个塑料封装的以沟道金属氧化物TrenchMOS™技术生成的双N沟道增强模式场效应管。实用产品是SOT96-1(SO8)封装的PHKD13N03LT。
二、特点
l 低栅极电荷
l 表面装配封装
l 低导通电阻
l 快速开关
三、内部框图
四、引脚功能
引脚
名称
功能
类型
1
S1
场效应管1源极
2
G1
场效应管1栅极
3
S2
场效应管2源极
4
G2
场效应管2栅极
5
D2
场效应管2漏极
6
D2
场效应管2漏极
7
D1
场效应管1漏极
8
D1
场效应管1漏极
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