引脚中文：

A0～A12：地址输入端。
CE：芯片使能端。
GND：地。
DQ0～DQ7：数据输入／输出端。
Vcc：电源(+5V)。
WE：写使能端。
OE：读使能端。
RST：复位端。
NC：空脚。

    主要特点
实时时钟可提供0.01秒、0．1秒、秒、分、时、日、日期、月、年。
内含8K Bytes非易失性RAM(NV RAM)，可直接替代易失性RAM或EEPROM。
内含嵌入式锂电池，可维持时钟运转并保持RAM中的数据。
可通过内部控制电路不断监视Vcc，当Vee大于4.5V时，DS1243Y可提供全部功能；当Vcc小于4.0V时，器件进入写保护状态，此时所有的输入将变成“Don’t Care”，而所有的输出则都处于高阻态；而当Vcc小于等于3.0V时，电源自动切换到内部锂电池。
温度为25℃时，1个月的计时误差小于1分钟。
断电后，数据可保存10年。
实时时钟的读写对RAM是透明的，因而可使用并行数据传送指令来读写实时时钟。

工作原理
    对DS1243Y中的NV RAM的读写操作与SRAM(如6264)完全一样。这里介绍DS1243Y实时时钟的读写方法。DS1243Y内含一个64位的比较寄存器，在对其实时时钟进行读写时，应首先通过DQ0脚串行输入的64位比特流(Bit Stream)，当第一位输入数据与比较寄存器的第一位相匹配后，比较寄存器的指针自动加一，然后与第二位输入数据进行比较。依此类推，如果连续输入的64位比特流均与比较寄存器的数据相匹配，则此时可对实时时钟进行读写。如果中间有某一位不匹配或者64位比特流在比较完成前，对DS1243Y有读操作，则比较寄存器的指针自动复位指向第一位数据。另外，在64位比特流比较完成前，数据的输入均会更改的相应存储单元。因此，通常指定DS1243Y的最后一个字节地址(1FFF)为实时时钟的地址，该字节地址不能作RAM用，此时可用并行数据传送指令对实时时钟进行读写操作，只不过在对实时时钟进行操作时，每次只有数据的最低位(DQ0)是有效的。
    实时时钟的时钟信息所示。在8个8位寄存器中，这些信号均由BCD码组成。对时钟信息的读写须一次连续完成，中间不允许有对DS1243Y的其他操作，其寄存器中的控制位的含义如下。
    小时寄存器的第7位为12／24小时模式选择位，该位为1时，选12小时模式；此时第5位为上午／下午(AM／PM)位，该位为1表示下午(PM)，为0表示上午(AM)。
    在24小时模式中，第5位为小时十位的第2位(20～23小时)数据。
    日(DAY)寄存器的第4、5位分别为复位和振荡器控制位。当第4位控制复位脚(芯片①脚)为1时，复位脚无效；为0时，复位脚输入低电平以使实时时钟复位。第6位为振荡器控制位，当该位为1时，振荡器停止振荡；为0时，振荡器振荡以输出正常时钟。DSl243Y在出厂时，这些位均设为1。
    在寄存器1、2、3、4、5和6中，均包含有一个或多个位，当读取这些位时，得到的数据均为0；而当写这些位时，则可写入1或0。