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IS41C16256--高性能、低功耗EDO DRAM
发布日期:2013-1-3 11:21:12 作者: 出处: 浏览:306 人次 【

简介:
IS41C16256是512 X 512 X 16bit(4Mbit,即0.5MB)的高性能、低功耗EDO DRAM,允许用每字(16位)10ns的访问周期随机访问512行中的一行。在读或写周期内,每次通过18位地址惟一编址,行地址通过RAS锁存,列地址通过CAS锁存。CAS有两个控制端:LCAS和UCAS。LCAS控制I/O0 I/O7,UCAS控制I/O8~I/O15,均为三态,它们使芯片具有字节读和写的能力,适用于l6位和32位总线的系统。这些特点使IS41C16256适用于高带宽图形、数字信号处理系统、高性能计算机系统及其外围电路等方面的应用。
引脚中英文及参数:
引脚名
A0~A8
I/O0~15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
引脚中文
行/地址复用输入
数据输入/输出
写允许
输出允许
行地址选通
高位列地址选通
低位列地址选通
电源

空脚

主要特点
采用扩展数据输出(EDO)页面方式访问周期。
输入输出与TTL电平兼容。
刷新间隔:512周期/8ms。
刷新模式有RAS只刷新、CAS在RAS之前有效刷新(即CBR)和隐藏式刷新三种模式。
输出引脚符合JEDEC标准。
单5V电源,允许误差为±10%。
通过2个CAS实现字节读写操作。
采用40引脚SOJ和TSOP两种封装。



  说明:R的单位为KΩ,R+表示红笔接地,黑笔所测在线电阻,R-表示黑笔接地,红笔所测在线电阻。V 表示正常工作电压。

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