主要参数：
极限参数
高边悬浮电源电压VB：-0．3～625V。
高边悬浮电源参考电压Vs：VB-25V～VB+0.3V。
高边悬浮输出电压VHO：VS-0.3V～VB+0．3V。
逻辑输入部分工作电源电压VVc：-0.3V～25V。
逻辑输入电压VIN：-0.3V～Vcc+0.3V。
允许的参考电源电压上升率dVs／dt：50000V／μs。
功耗：SOIC封装的功耗为0.625W；DIP封装的功耗为1w。
允许最高工作结温Tj：150℃。
存储温度Tstg:-55～150℃.
焊接温度(焊接时间10s)TL：300℃。

推荐工作参数:
高边悬浮电源电压绝对值VB：Vs+10V～Vs+20V。
高边悬浮电源参考电压Vs：600V。
高边悬浮输出电压VHO:Vs～VB。
逻辑电源电压Vcc：10～20V。
逻辑输入电压范围VIN：0～Vcc。
工作环境温度TA：-40～125℃。

    IR2117的内部结构及工作原理框图如图。它在内部集成有1个施密特触发器、1个脉冲增益电路、2个欠压检测及保护电路、1个电平移位网络、1个与非门、1个由两个MOSFET组成的互补功放输出级、1个RS触发器以及1个脉冲滤波器，共9个单元电路。 正常工作时，若IR2117的逻辑电源部分及输出电源部分不欠压，则来自用户控制脉冲形成单元的信号由施密特触发器整形，并经脉冲增益环节放大后，可由电平移位网络进行电平移位与匹配，然后再经RS触发器触发后由互补推挽输出级输出以驱动外接的MOSFET或IGBT。一旦输入逻辑部分电源或输出功放级悬浮电源中有一个出现欠压，则两部分中将有一个输出信号被封锁而使输出驱动脉冲变为低电平。

主要特点
采用悬浮通道设计，内部自举可用来驱动从低压到600V工作母线电压中的MOSFET或IGBT。
对负的瞬态电压上升率无限制。
栅极驱动电压范围宽达10～20V。
采用CMOS施密特触发器输入及推挽功放输出方式。
具有欠压封锁功能。
输出与输入同相。

  应用注意事项：
  ①若VB由Vcc采用自举技术得到，则接于引脚Vcc与VB之间的二极管应为超快恢复二极管，其反向耐压应大于600V。
    ②在使用自举技术产生VB时，接于VB与Vs之间的电容应为高稳定、低串联电感的高频优质电容，可选瓷片电容或钽电容，容量为0.1～1μF均可，并可随IR2117工作频率的提高而下降。
    ③利用IR2117可直接驱动电流容量较小的MOSFET或IGBT，但对电流容量大于100A以上的MOSFET或IGBT，最好不要用IR2117直接驱动，此时应考虑对输出脉冲进行功放。
    ④虽然IR2117可用来驱动工作母线电压不高于600V系统中的MOSFET或IGBT，但实际使用时应考虑回路中电感的存在以及Ldi／dt等因素引起的电压过冲，因此，通常应用于母线电压不高于400V(如国内电网对单相交流整流后的310V)的系统中。
    ⑤应将IR2117用来驱动高端或低端通道中的一个MOSFET或IGBT。
    ⑥从IR2117到被驱动的MOSFET或IGBT的引线应尽可能短，其往返引线长度应限制在200mm以内，并应尽可能使用双绞线或同轴电缆屏蔽线，最好将被驱动的MOSFET或IGBT与IR2117装于同一印制板上并用印刷线条直接相连。