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IDT71V3558--高速、大容量的TTL同步静态存储器
发布日期:2013-1-3 11:16:21 作者: 出处: 浏览:325 人次 【

简介:
IDT71V3558是IDT公司新推出的一种高速、大容量的TTL同步静态存储器(SRAM),它主要由输入/输出寄存器、控制逻辑和存储阵列等电路组成。其容量为256K×18bit,速度高达200MHz,同时具有设计简单、应用灵活、容易扩展等优点。
引脚中英文及参数:

VDD、VDDQ:+3.3V电源输入端。滤波的旁路电容应尽可能靠近电源引脚,并直接连接到地。
VsS:接地引脚。
A0~A17:地址同步输入端。
ADV/LD:置低时可装入新的地址。
R/W:此端为低时写入,为高时读出,数据有效发生在相应地址有效之后的两个周期。
CEN:存储器时钟使能,正常工作时为低。
BW1、BW2:可对高低字节进行选择,写时低有效,读时高低均可。
CE1、CE2、CE2:全有效时选中该片,可用于3个片选信号选择8片存储器。
CLK:存储器工作时钟,所有输入信号在时钟上升沿有效。
I/O:数据输入/输出脚。
LBO:此脚为低时,为线性地址触发顺序;为高时,为交错地址触发顺序。
OE:异步输出使能,该脚是该芯片中惟一的异步引脚,可置为低。

 

主要特点:
具有256K×18bit的存储容量。
工作频率高达200MHz。
读写之间可进行零总线转换(ZBT)。
只有一个读/写控制脚。
可在时钟上升沿触发地址、数据和控制信号寄存器采用流水线输出,内含触发计数器。
写时可选择高低字节,读时高低字节全部有效。
可用3个片选信号进行容量扩展。
采用3.3V电源供电。



  说明:R的单位为KΩ,R+表示红笔接地,黑笔所测在线电阻,R-表示黑笔接地,红笔所测在线电阻。V 表示正常工作电压。

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