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SSF1101--串行FLASH存储器
发布日期:2013-1-3 11:19:04 作者: 出处: 浏览:292 人次 【

简介:
SSF1101是上海新茂半导体有限公司生产的4Mbit串行接口可编程闪速存储器,该器件采用SPl串口模式与单片机或微机通信,无需任何外围元件。利用该器件提供的IC卡封装形式,可非常方便地和单片机系统进行接口以构成大容量的数据存储装置。同时,该芯片具有封装尺寸小、集成度高、电压低、存储容量大、接口方式简单等优点,在商业和工业领域具有广泛的应用前景。SSFll01具有4根器件识别脚,可在一个系统中最多能扩展16片,其总存储容量可达8M字节。
引脚中英文及参数:
脚号
1
2
3
6
7,8
4,5,9,10
引脚英文
RDY/BUSY
RST
WP
VCC
GND
ID0~ID3
引脚中文
闲/忙指示
复位,低有效
写保护,高有效。
电源

芯片地址A0~A3

采用32脚TSOP封装和IC卡封装两种形式。

主要特点:

页面擦除典型时间为10ms。
器件擦除典型时间为2s。
内置擦除/编程时序逻辑。
SPI串行数据接口符合SPl标准。
4M Bit闪速存储器,512页,每页1024字节。

内置4位器件地址译码电路,可直接并联扩展存储容量,最多可连接16片。
带有双1k字节的数据缓冲器,可在编程期间写入。或读取数据,且读取/写入地址自动递增。
高速页面编程,典型时间为20ms。
高速页面到数据缓冲器的传输典型时间为100μs。
可硬件写保护。
时钟频率最高达10MHz。
采用单5V电源工作,并有低电压2.7~3.5V可供选择。
低功耗,休眠电流典型值为18μA。
与CMOS电平和TTL输入/输出电平兼容。
工作温度很宽(商用)。
内置上电复位电路。
在数据缓冲器和主Flash之间进行传送或比较时,可对未用的数据缓冲器和状态寄存器进行操作。

    SSF1101具有4194304位主存储单元,分成51页面、每页面1024个字节。此外SSF1101还包含有2个SRAM缓冲器,每个缓冲器有1024个字节,当主存储器内的1页正被编程时,缓冲器照样能接收输入数据。SSF1101使用SPI串口访问它的数据,因而硬件设计十分方便,系统可靠性很强,并可把开关噪声降到最低。该芯片在编程期间,不需要高电压,而编程电压仍为电源电压。



  说明:R的单位为KΩ,R+表示红笔接地,黑笔所测在线电阻,R-表示黑笔接地,红笔所测在线电阻。V 表示正常工作电压。

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