引脚中文：

 

A0～A18：地址线；
CE：片选线；
OE：输出允许(读)信号线；
wE：写允许信号线；
I／O0～I／O7：三态双向数据线。

主要特点:
快速读取时间：200ns。
单一电压下在线编程(编程前自动擦除)电压：(3.3±0.3)V。
大存储容量：4Mbit(512Kb×8)。
以256字节为一页的页写入操作，片内带256字节的地址数据锁存。
单页写入时间20ms，芯片擦除时间20ms。
低功耗：读写电流15mA，维持电流20nA。
CMOS工艺，10000次擦除写入寿命，数据可保存10年。
输入／输出与TTL、CMOS电平兼容。
温度范围：商业用为0～70℃，工业用为-40～85℃。

   工作原理：
    AT29LV040A的读操作与静态RAM完全类似。当CE=0、OE=0、WE=1时，被选中的地址单元  的内容读出到外部总线上；当CE或OE处于高电平，输出线处于高阻态。    在数据写入操作中，A0～A7提供页内单元地址，A8～A18提供页地址。当CE=0、OE=1、WE=0  时，外部写入的数据先装入内部锁存器，数据写入以页为单位进行，因此要改写某单元内  容时，整页都要重写。没有被装入的字节内存单元被写成#0FFFH。页写入过程中，在前一次CE或WE上  升沿之后150μs内，CE和wE要再次有效以便写入新的字节，整个写入周期中CE和WE应256次有效。当  某次cE和WE上升沿后150μs的时间内没有CE和wE的下降沿来到时，表示装入周期结束。开始内部写入  周期时，写入新数据前先自动擦除。装入起始地址用户可根据需要任意指定。